人生苦短，先打两盘游戏先

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这项工作为在实验上理解压电半导体的电势屏蔽效应提供了一个有效的方法，苦短同时也为压电器件实现更优异的电学性能和力学柔性的兼容设计提出了可行的思路。先戏先(e)图和(f)图分别是图案化和非图案化结构的器件在不同压力和不同有效作用面积下的输出电压和输出电流。

打两【图文导读】图1.图案化ZnO纳米棒阵列中理解电势屏蔽效应的设计示意图图2.图案化ZnO纳米棒薄膜的结构及制备示意图 (a)PVDF作为阻挡层的图案化ZnO纳米棒压电器件结构示意图。盘游(d)图c中单个纳米棒阵列单元对角线路径上对应的压电势具体数值。然而，人生由于纳米棒在尺度上的微小特性，导致难以在实验上直接测定电势屏蔽效应，阻碍了对其物理机制的进一步理解和相应抑制手段的提出。

【成果简介】针对该问题，苦短近日，苦短西南交通大学杨维清教授团队采用光刻技术和水热法在柔性PEN基底上制备了一层图案化的ZnO纳米棒阵列，并借助压电力显微镜在纳米尺度上研究了单个ZnO纳米棒阵列单元压电势的空间分布，结合微尺度下的电势分布从实验上揭示了广泛存在于ZnO这类压电半导体中由载流子跃迁或隧穿补偿而导致的电势屏蔽效应（设计思路如图1所示）。【引言】ZnO作为一种常见的压电材料，先戏先以其独特的半导体特性在压电及压电电子学器件中倍受关注。

打两相关研究成果以UnderstandingthePotentialScreeningEffectthroughtheDiscretelyStructuredZnONanorodsPiezoArray为题在线发表在国际著名期刊NanoLetters上。

此工作在实验上测定了半导体压电材料中的电势屏蔽效应，盘游并阐明了其物理机制。特别是，人生这种性能是在自供电运行模式下实现的。

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